A quanto pare i ricercatori dell’Intel sono riusciti a trovare un modo per raddoppiare la capacità di memorizzazione delle "phase-change memory". Le phase-change memory sono diverse dalle flash perché non usano gli elettroni per memorizzare i dati, ma lo stato fisico della materia, insomma, il modo in cui gli atomi si accomodano tra loro. Si pensava di poter utilizzare solo due stati, amorfo e cristallino: ora si scopre che si possono utilizzare altri due stati che si trovano in un certo senso a metà. Il successo delle flash memory, oggi, è gigantesco. Ma domani potrebbe non essere più altrettanto grande. Perché la phase-change memory sembra poter essere più veloce a parità di capacità di memoria. Nelle phase-change memory operano Intel, Samsung e Stm.